Doping (yarı iletken)

Yarı iletken üretiminde doping (katkılama), elektriksel, optik ve yapısal özelliklerini modüle etmek amacıyla içsel bir yarı iletkenin içine safsızlıkların kasıtlı olarak eklenmesidir. Dopingli (katkılı) ürün, dışsal bir yarı iletken olarak tanımlanır.

Saf silikon grubuna uygulanan katkılama işlemi. Silikon bazlı işsel yarı iletken, bor ve antimon gibi "kirliliklerin" eklenmesiyle dışsal hale gelir.

Az sayıda doping atomu, bir yarı iletkenin elektriği iletme yeteneğini değiştirebilir. 100 milyon atom başına bir dopant atomu eklendiğinde, dopingin düşük veya hafif olduğu söylenir. On bin atom başına bir doping atomu gibi bir oran mevzu bahis ise, doping yüksek veya ağır olarak adlandırılır. Bu durum genellikle n-tipi doping için n+ veya p-tipi doping için p+ olarak gösterilir. (Doping mekanizmasının daha ayrıntılı bir açıklaması için yarı iletkenler hakkındaki makaleye bakın.) Bir yarı iletkenden çok bir iletken gibi davranacak kadar yüksek seviyelerde dopinglenmiş bir yarı iletken, dejenere yarı iletken olarak adlandırılır. Bir yarı iletken, eşit miktarlarda p ve n ile dopinglenmiş ise, i-tipi yarı iletken olarak kabul edilebilir.

Fosforlar ve sintilatörler bağlamında, doping daha çok aktivasyon olarak bilinir; bu, yarı iletkenlerde dopant aktivasyonu ile karıştırılmamalıdır. Doping, bazı pigmentlerde rengi kontrol etmek için de kullanılır.

Dış bağlantılar

• Wikimedia Commons'ta Doping (semiconductor) ile ilgili çoklu ortam belgeleri bulunur