Flaş bellek (bilgisayar): Revizyonlar arasındaki fark

[kontrol edilmiş revizyon][kontrol edilmiş revizyon]
İçerik silindi İçerik eklendi
Adem20 (mesaj | katkılar)
k kaynaksız
→‎top: düzeltme AWB ile
1. satır:
{{kaynaksız}}
[[Dosya:USB_flash_drive.JPG|thumb|rightsağ|Bir [[USB Bellek Aygıtı]]. Soldaki yonga flaş bellek, sağdaki yonga ise mikrodenetleyicidir.]]
 
Flaş Bellek, [[kaynak]] gücü kesildiğinde bile sakladığı veriyi tutabilen ve elektronik olarak içeriği silinip, yeniden programlanabilen [[Bellek (bilgisayar)|bellek]] türüdür. Flaş bellek teknolojisi çoğunlukla bellek kartlarında ve [[USB Bellek Aygıtı|USB bellek aygıtlarında]] kullanılır. [[EEPROM]] türündeki belleklerin büyük miktardaki [[veri]] öbeklerinin programlanıp silinmesini sağlayan özel bir türüdür. "Elektriksel olarak programlanabilen sadece okunabilen bellek" olarak çevirebileceğimiz EEPROM'ların üzerindeki veriler elektriksel yolla değiştirilebilir. Sadece okunabilir bellek denilmesinin sebebi, bilgilerin kalıcı olmasından kaynaklanır. Klasik bellek yapılarından bilindiği üzere, flash bellekler de hücrelerden oluşur. Her hücrenin kendi transistörleri vardır. Bilgisayar ortamında bilgiler 0 ve 1'lerden oluşur. 0'lar düşük voltaj, 1'ler ise yüksek voltaj anlamına gelir. Veri yazılmak istendiği anda, transistörlerin voltaj seviyeleri değiştirilerek bilgiler yazılır, silinir, yenilenir.