Diyot: Revizyonlar arasındaki fark

Bakır oksitli diyotlar ölçü aletleri ve telekominikasyontelekomünikasyon devreleri gibi küçük gerilim ve küçük güçle çalışan devrelerde, selenyum diyotlar ise birkaç kilowatt 'a kadar çıkan güçlü devrelerde kullanılır

Yarı iletken diyotları, p-tipi ve n -tipi germanyum veya silisyum yarı iletken kristallerinin bazı işlemler uygulanarak bir araya getirilmesiyle elde edilen diyotlardır. Hem elektrikte hem de elektronikte kullanılmaktadır. tipik bir örnek olarak kuvvetli akımda kullanılan bir silikon diyot verilmiştir. p -tipinde delikler çoğunluk taşıyıcısı, elektronlar azınlık taşıyıcısıdır. Tersi olarak da , p -tipinde serbest elektronlar azınlık taşıyıcı, n -tipinde delikler azınlık taşıyıcısıdır.

Nokta temaslı diyot elektronik alanında ilk kullanılan diyottur. 1900-1940 tarihleri arasında özellikle radyo alanında kullanılan galenli ve pritli detektörler kristal diyotların ilk örnekleridir.galen Galen veya prit kristali üzerinde gezdirilen ince fosfor-bronz tel ile değişik istasyonlar bulunabiliyordu. Günlük hayatta bunlara, kristal detektör veya diğer adıyla kristal diyot denmiştir.nokta Nokta temaslı germanyum veya silikon diyotlar geliştirilmiştir.

[[Germanyum]] veya [[silisyum]] nokta temaslı diyodun esası; 0.,5 mm çapında ve 0.,2 mm kalınlığındaki N n-tipi kristal parçacığı ile "fosfor-bronz" veya "berilyum bakır" bir telin temasını sağlamaktan ibarettir.

Bu tür diyotta, N n-tipi kristale noktasal olarak büyük bir pozitif gerilim uygulanır. Pozitif gerilim temas noktasındaki bir kısım kovalan bağı kırarak elektronları alır. Böylece, çok küçük çapta bir P p-tipi kristal ve dolayısıyla da PN diyot oluşur. Bu oluşum şekil 3.12 (b) 'de gösterilmiştir.

Voltajın sabitlenmesine yarayan bir diotturdiyottur. Devreye ters polarize edilir. Mesela 5,6V6 V değerinde bir zenerin uçlarında (ters polarizasyon) 10 V'luk gerilim oluşursa 4,4 Voltu üzerinden geçirir. Uçlarından 5,6 V alınabilir.

Tünel Diyodundiyodun üstünlükleri:

Tünel Diyodundiyodun dezavantajları:

Yükselteç Olarakolarak: Tünel diyot, negatif [[direnç|direnci]] nedeniyle, uygun bir bağlantı devresinde kaynaktan çekilen akımı arttırmakta, dolayısıyla bu akımın harcandığı devredeki gücün yükselmesini sağlamaktadır.

[[Osilatör]] Olarakolarak: Tünel diyotlardan MHz (10⁶ [[Hz]]) mertebesinde osilatör olarak yararlanılabilmektedir. Bir tünel diyot ile [[osilasyon]] sağlayabilmek için negatif [[direnç|direncinin]] diğer [[rezonans]] elemanlarının pozitif direncinden daha büyük olması gerekir. Tünel diyoda seri bir rezonans devresi bağlanabilecektir. Tünel diyodun negatif direnci - R=80 Ohm olsun. Rezonans devresinin direnci 80 Ohm 'dan küçük ise tünel diyot bu devrenin dengesini bozacağından osilasyon doğacaktır.

=== Işık Yayan Diyot (Led[[LED]]) ===

* Çalışma gerilimi 1.,5 - 2.5V,5 V arasındadır. (Kataloğunda belirtilmiştir.)

* Çalışma akımı 10 -20mA 20 mA arasındadır. (Kataloğunda belirtilmiştir.)

Bir [[LED]] 'in üretimi sırasında kullanılan değişik katkı maddesine göre verdiği ışığın rengi değişmektedir.

Ayrıca LED 'in aşırı ısınmasına yol açmamak için kataloğunda belirtilen akımı aşmamak gerekir. Bunun için gösterilmiş olduğu gibi devresine seri olarak bir R direnci konur. Bu direncin büyüklüğü LED 'in dayanma gerilimi ile besleme kaynağı gerilimine göre hesaplanır.

Kirşof[[Kirchoff kanununakanunu]]<nowiki/>na göre: 9=I*R+2 'dir. I=0.05A,05 A olup

R=9-2/0.,05 = 7/0.,05 = 140 Ohm olarak bulunur.

140 Ohm 'luk standart direnç olmadığından en yakın standart üst direnci olan 150 Ohm 'luk direnç kullanılır.

Mikro dalga diyotlarının ortak özelliği,; çokÇok yüksek frekanslarda dahi, yani devre akımının çok hızlı yön değiştirmesi durumunda da bir yönde küçük direnç gösterecek hıza sahip olmasıdır.

P-I-N diyotları.

Yapısı, N n-tipi Galliyum arsenid (GaAs) veya İndiyum fosfat (InP) 'den yapılacak ince çubukların kısa kısa kesilmesiyle elde edilir.

'''Örnek:''' 10 µm boyundaki bir gunn diyodunun osilasyon periyodu yaklaşık 0,1 nanosaniye tutar. Yani osilasyon frekansı 10GHz 'dir.

Impatt veya avalanş (çığ) diyotlar, Gunngunn diyotlara göre daha güçlüdürler ve çalışma gerilimi daha büyüktür. Mikrodalga sistemlerinin osilatör ve güç katlarında yararlanılır.

Yapımında ana elemanlar olarak Slikon ve Galliyum arsenid (GaAs) kullanılır. Diyot içerisindeki P+ ve N+ tipi kristaller, içerisindeki katkı maddeleri normal haldekinden çok daha fazla olan P, ve N kristalleridir.

Baritt Diyotlardiyotlar 'da nokta temaslı diyotlar gibi metal ve yarı iletken kristalinin birleştirilmesi ile elde edilmektedir. Ancak bunlar jonksiyon diyot tipindedir. Değme düzeyi (jonksiyon) direnci çok küçük olduğundan doğru yön beslemesinde 0.25V,25 Volt'ta dahi kolaylıkla ve hızla iletim sağlamaktadır. Ters yöne doğru akan azınlık taşıyıcıları çok az olduğundan ters yön akımı küçüktür. Bu nedenle de gürültü seviyeleri düşük ve verimleri yüksektir.

Bu tür diyotlar, büyük değerli [[Doğru akım]]<nowiki/>a (DA, DC akımaya da sürekli akım) ihtiyaç duyulan galvano-plasti, ark kaynakları gibi devrelere ait doğrultuculardadoğrultucular da kullanılmaktadır.