SRAM: Revizyonlar arasındaki fark

{{düzenle-tarih|Ekim 2007}}

 

 

 

SRAM içindeki her bit; her biri, iki adet çapraz eşlenmiş tersleyici(inverter) oluşturan transistörlerden dört tanesi üzerine kurulmuştur. Bu hafıza hücresi(bit), genelde “1” ve “0” ifade etmek için kullanılan iki durağan duruma sahiptir. İki adet fazladan erişim (access) transistörü, okuma ve yazma işlemleri sırasında hafıza hücresine erişimi denetlemek üzere hizmet verirler. Bir hafıza hücresini (bit) saklamak için özellikle altı adet [[MOSFET]]

Bakışımlı (simetrik) devre yapısı bir hafıza konumdaki değerin DRAM’e göre çok daha hızlı okunmasına olanak tanır. SRAM’in daha hızlı olmasını sağlayan, DRAM’le arasındaki bir başka fark ise tüm adres bitlerini bir kerede alan özel çiplerdir. Buna karşılık DRAM’lerin sahip olduğu yarar iki yarım parça halinde çoklanmış adresler kullanmasıdır. İki parça halinde çoklanması demek aynı paket içerisindeki pinler üzerinde, boyutları ve maliyeti düşürmek üzere küçük değerli bitlerin yüksek değerli bitleri izlemesi demektir.

 

 

[[Dosya:6t-SRAM-cell.png|350px|thumb]]

 

 

Rastgele erişimli bellek içindeki her depo hücresi, herbiri iki transistörden oluşan iki çapraz bağlı evirici ile gerçeklenebilir. Bu depo hücresi, 0 ve 1'i göstermek için kullanılan iki kararlı duruma sahiptir.

Okuma erişimi boyunca, line-bit’ler RAM hücresi içinde tersleyiciler tarafından aktif olarak yüksek ve alçak olarak sürdürülür. Bu işlem, DRAM’lere nazaran SRAM hızını arttırır. Line-bit’ler depo kapasitecileriyle bağlanır ve şarj paylaşımı, line-bit’lerinin aşağı yukarı sallanmasına neden olur. SRAM’lerin simetrik yapısı, ayrıca daha kolay incelenebilen küçük voltaj oluşturan, farklı işaretlemelere izin verir. m yolu ve n data-line ile bir SRAM’ın boyutu, 2m words ya da 2m ×n bit’dir.

 

Bir SRAM, üç ayrı durumda incelenir: yedek(devre işlemiyorsa), okuma (bilgilerin istendiği), yazma(içeriği güncelliyorken). Bu 3 durumu şu şekilde gerçekleştirir:

 

Eğer word-line öne sürülmüyorsa, erişim transistorleri M5 ve M6 bit-line’lardan hücreye bağlanmaz. M1-M4 tarafından şekillenen 2 cross-couplet tersleyicilerin dış dünyayla bağlantısı kesildiğinde de, birbirlerini desteklemeye devam edeceklerdir.

 

 

==

Sanılır ki; bellek içeriği Q’da depolanan 1’dir. Okunan devre şarjetme öncesi her iki bit-line tarafından başlatılır. Değerler Q’da depolandığında, 2. adım gerçekleşir. [Q], BL ayrılarak bit-line’a transfer edilir. BL tarafında, M4 ve M6 transistörleri, bit-line’ı, VDD’ye çeker. Eğer bellek içeriği sıfır olursa, tam tersi yaşanır ve [BL], 1’e doğru çekilir.

 

]] iç yapıya neden olduğundan SRAM, DRAM’den daha az yoğundur ve bunun için kişisel bilgisayarların ana belleindeki gbi düşük maliyetlei uygulamalar, yüksek kapasite için kullanılmaz.

 

SRAM’ın güç tüketimi ne sıklıkta erişildiğine bağlı olarak bir çeşitlilik gösterir; sıkça kullanıldığında ve bazı IC’ler full hızda birçok [[watt]] harcadığında, dinamik RAM kadar güce ihtiyacı olabilir. Diğer bir yandan RAM daha yavaş bir tempoda kullanılır (tıpkı mikro işlemcilerde yapılan uygulamalardaki gibi).

 

* FPGA ve CPLD’de (genellikle birkaç veya daha az kilobyte sırasıyla)

 

Endüstriyel ve bilimin alt sistemlerinin bazı kategorileri, otomative elektronik ve benzer sistemler static RAM içerir. Bazı miktarlar (kilobyte ve daha az) oyuncaklarda da pratik olarak kullanılır. Birkaç megabyte, cep telefonları, dijital kameralar…vb karmaşık yapıdaki ürünlerde de kullanılabilir.

 

SRAM ayrıca kişisel bilgisyarlar, workstationlar, routerlar ve çevresel ekipmanlarda (iç CPU cache ve dış burst mode SRAM caches, hard disk tamponlar, router tamponlar..vb) Ayrıca LCD ekranlar ve yazıcılarda da gösterilen imgeyi tutan static RAM’ler kullanılır. Küçük SRAM tamponları CDROM’larda ve CDRW sürücülerinde bulunur. (genellikle 256k bytes veya daha fazlası, tek bir değer yerine blokları transfer eden track data kullanılır. Aynısını modem kablolarına ve bilgisayara bağlı benzer ekipmanlara uygular. CMOS-RAM olarakta adlandırılır. Fakat günümüzde daha sık [[EEPROM]] veya flaş bellek kullanımlarına uygulanır.)

 

Hobi olarak ilgilenenler sıklıkla SRAM’i tercih eder. Güncellemeye gerek olmadığından, kullanımı DRAM’lerden çok daha basittir. Ayrıca SRAM genellikle 3 konrole gerek duyar: Chip Enable (Ce), Write Enable(WE) and Output Enable(OE).

 

 

* Bipolar Junction Transistör (TTL ve ECL ‘de kullanılır.)  oldukça hızlıdır fakar çok güç harcar.

* MOSFET(CMOS’da kullanılır.)  düşük enerjili ve günümüzde yaygın olan bir türdür.

 

 

* ZBT  zaman miktarı zaman devre sayısı kadardır.yazma-okuma ve okuma-yazma işlemlerinden SRAM’e ulaşımının değimesi kadar bir zaman alır.

* syncBurst  (syncBurst sram ya da synchoronous –burst SRAM)

[[Kategori:Bellekler]]

-->

[[Kategori:Bilgisayar belleği]]