Orta ve lise öğrenimini fen bölümünü birincilikle bitirdiği [[Saint Benoit Fransız Lisesi|Saint Benoit]]’da tamamladı. 1954 yılında Saint Benoit’dan gelerek [[Boğaziçi Üniversitesi|Robert Kolej Mühendislik Yüksek Okulu]]’nda birinci sınıfına başladı.<ref>[http://www.ee.boun.edu.tr/People/FormerFaculty/SabihTansalBölümHatıraları.aspx Sabih Tansal, Boğaziçi Üniversitesi Bölüm Hatıraları - Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü’nün geçmişi ile ilgili notlar.]</ref> 19571958 yılında [[elektrik mühendisliği]] bölümünde yüksek öğrenimini sınıf birincisi olarak bitirdi. [[Harvard Üniversitesi]]’nden kazandığı Gordon McKay bursuyla lisansüstü eğitimine başladı. 1959’da [[Harvard Üniversitesi]]’nden [[Deneysel fizik|Deneysel Fizik]] dalında yüksek lisans derecesini aldıktan sonra Amerika’da [[IBM Watson|IBM T. J. Watson]] Araştırma Merkezi’nde araştırma mühendisi olarak çalışmaya başladı. [[Süper iletkenlik|Süper iletkenler]], yarı metaller ve [[yarı iletkenleriletken]]ler ile ilgili konularda çalışmalar yaptı.<ref>Bu araştırmaları ile ilgili olarak [[Boğaziçi Üniversitesi]]’nde yürüttüğü ve sonuçları 1985 yılında ''IEEE Electron Device Letters'' mecmuasında yayınlanmış olan bir de ''Doktora'' çalışması yaptırmıştır.</ref> Alan etkili tranzistorlarla entegre devrelerin imali ve deneyleri konusunda geliştirdiği projeler ona IBM Yüksek Tahsil Bursunu kazandırdı. Doktorasını bu bursla 1969 yılında [[New York Üniversitesi]] Uygulamalı Fizik Bölümü’nde Üniversite’nin Kurucular Günü Ödülünü alarak tamamladı.
