İndüktans: Revizyonlar arasındaki fark
| [kontrol edilmiş revizyon] | [kontrol edilmiş revizyon] |
İçerik silindi İçerik eklendi
Superyetkin (mesaj | katkılar) |
k düzen |
||
6. satır:
burada ''v'' voltajı Volt birimiyle ve ''i'' akımı Amper birimiyle ifade edilmiştir. Bu denklemin en basit çözümü için ya sabit bir akım düşünülmelidir ya da zamana bağlı olarak doğrusal değişen bir akım düşünülmelidir. Birincisinde voltaj sıfırdır, ikincisinde ise sabit bir voltaj değeri vardır.
'İndüktans' terimi [[Oliver Heaviside]] tarafından 1886 Şubat'ında keşfedildi.<ref>Heaviside, O. Electrician. Feb. 12, 1886, p. 271. See [http://books.google.com/books?id=bywPAAAAIAAJ&printsec=frontcover&dq=elecrrical+papers+heavyside reprint
| yazar = Glenn Elert
| başlık = The Physics Hypertextbook: Inductance
15. satır:
| url = http://micro.magnet.fsu.edu/electromag/electricity/inductance.html
| yıl = 1995–2008}}</ref>
İndüktansın [[Uluslararası Birimler Sistemi|
İndüktans, [[Amper yasası]]na göre elektrik akımı tarafından yaratılan manyetik alanın bir sonucudur. Bir devreye indüktans eklemek için, [[indüktör]] dediğimiz [[elektronik bileşenleri]] kullanılır. Bunlar genellikle manyetik alanı şiddetlendirmek ve indüklenen voltajı toplamak için tel bobinlerden oluşur. Bu, bir devreye [[kapasitans]] eklemek için [[kondansatör]] kullanılmasına benzer. Kapasitans, [[Gauss yasası]]na göre elektrik yükü tarafından oluşturulan elektrik alanın bir sonucudur.
41. satır:
\overset{!}{=}\sum\limits_{n=1}^{K}\frac{\partial W\left( i\right) }{\partial i_{n}}di_{n}.</math>
Bu, akımlar tarafından oluşturulan manyetik alan enerjisinin (W) değişimiyle eşit olmalıdır.<ref>Nano kablolar haricinde, sapan elektronların kinetik enerjisi W'den oldukça küçük enerjilerdedir.</ref> İntegre edilebilirlik koşulu
:<math>\displaystyle\partial ^{2}W/\partial i_{m}\partial i_{n}=\partial ^{2}W/\partial i_{n}\partial i_{m}</math>
''L<sub>m,n</sub>=L<sub>n,m</sub>'' eşitliğini gerektirir. Dolayısıyla indüktans matrisi ''L<sub>m,n</sub>'' simetriktir. Enerji transferinin integrali, manyetik alan enerjisinin akıma göre bir fonsiyonudur,
108. satır:
=== Karşılıklı indüktans ===
Bir ''i'' ince tel devresinin, başka bir ''j'' ince tel devresi üzerindeki karşılıklı indüktansı çift katlı ''[[Franz Ernst Neumann|Neumann]] formülü'' olarak bulunur:<ref>
:<math> M_{ij} = \frac{\mu_0}{4\pi} \oint_{C_i}\oint_{C_j} \frac{\mathbf{ds}_i\cdot\mathbf{ds}_j}{|\mathbf{R}_{ij}|} </math>
μ<sub>0</sub> [[manyetik sabit]]tir (4π×10<sup>−7</sup> H/m), ''C''<sub>i</sub> ve ''C''<sub>j</sub> teller tarafından oluşturulan eğrilerdir, ''R''<sub>ij</sub> iki nokta arasındaki uzaklıktır. Sembolü μ <sub>0</sub> ifade eder [[manyetik sabit]] (4π×10<sup>
=== Öz indüktans ===
162. satır:
| r: Düğüm çapı <br/>a: Tel yarıçapı
|-
! Dikdörtgen<ref>
| <math>\frac {1}{\pi}\left(b\ln{\frac {2 b}{a}} + d\ln{\frac {2d}{a}} - \left(b+d\right)\left(2-\frac{Y}{2}\right)
+2\sqrt{b^2+d^2} -b\cdot\operatorname{arsinh}{\frac {b}{d}}-d\cdot\operatorname{arsinh}{\frac {d}{b}}
204. satır:
== Doğrusal olmayan indüktans ==
Birçok indüktörün yapımında [[manyetik malzemeler]] kullanılmaktadır. Bu malzemeler yeterince büyük bir alan üzerinde [[doygunluk (manyetik)
Sekant veya büyük sinyal indüktansı akı hesaplamalarında kullanılır. Şöyle tanımlanmıştır:
252. satır:
*[[Karl Küpfmüller|Küpfmüller K.]], ''Einführung in die theoretische Elektrotechnik,'' Springer-Verlag, 1959.
*Heaviside O., ''Electrical Papers.'' Vol.1. – L.; N.Y.: Macmillan, 1892, p. 429-560.
* F. Langford-Smith, editor, 1953, ''Radiotron Designer's Handbook'', 4th Edition, Wireless Press for Amalgamated Wireless Valve Company PTY, LTD, Sydney, Australia together with Eectron Tube Division of the Radio Corporation of America [RCA], Harrison, N. J. No Library of Congress Card Catalog Number or ISBN. Chapter 10 pp.
== Dış bağlantılar ==
258. satır:
<!--kategoriler-->
[[
[[
| |||