MOSFET: Revizyonlar arasındaki fark
| [kontrol edilmemiş revizyon] | [kontrol edilmiş revizyon] |
İçerik silindi İçerik eklendi
Ters işlemi yapan tipinin belirtilmesi gerekiyordu. |
|||
6. satır:
MOSFET, [[JFET]]'e pek çok yönden benzerlik gösterir. [[JFET]]'de ''Gate Source'' ters polarlanmış bir PN oluşturmaktadır. MOSFET'de ise böyle değildir. MOSFET'de ''gate''(kapı) öyle oluşturulmuştur ki ''drain'' ile ''source'' arasındaki bölge üzerine [[silikon dioksit]] ve onun üzerine de [[gate elektrodu]] (metal plaka) konularak yapılmıştır. Böylece ''kapı'' metal elektrodu ile ''drain'' ve ''source'' arasına bir yalıtkan konulmuş olur. Buradaki yalıkan silikon dioksit (SiO<sub>2</sub>) dir. Silikon dioksit çok iyi bir yalıtkandır ve ayrıca mükemmel mekanik özelliklere sahiptir. Metal oksit ve yarı iletken bir ''kapı'' oluşturur ve MOSFET adının oluşmasını sağlar. Bu nedenle kapı gerilimine JFET' de olduğu gibi bir sınırlandırma konulmamıştır. Tabi bu teoriktir. Kapı yalıtkanı o kadar incedir ki eğer bir koruma yoksa vücudumuzdaki gerilim bile bu yalıtkanı delmeye yeter. Ayrıca bu yalıtkan yüzünden ''kapı'' akımı neredeyse hiç yoktur ve giriş [[empedans]]ı çok yüksektir. Tipik olarak kapı akımı 10<sup>-14</sup> A (0,01piko amper) ve 10<sup>14</sup> ohm (10.000 Giga ohm).
Kapı geriliminin sınırlı olmaması ayrıca MOSFET'de iki durumda çalışma olanağı sağlar. Bunlar ''"Arttırılmış - Enhancement"'' ve ''"Azaltıcı - Depletion"'' çalışma şekilleridir. Enhancement MOSFET' ler uygun şekilde kutuplanmadığı sürece üzerlerinden akım akmaz. Çünkü kapı geriliminin sıfır olması ile kaynak ve [[savak]] arasında iki tane arka arkaya bağlanmış PN diyotu vardır. Savak-kaynak gerilimi ne değerde olursa olsun kaynak akımı akmaz. Depletion tipi MOSFET' ler
Enhancement MOSFET'in kabaca üç çalışma bölgesi vardır:
| |||