Doping (yarı iletken): Revizyonlar arasındaki fark

k
düzenlemeler ve imla
[kontrol edilmiş revizyon][kontrol edilmiş revizyon]
kDeğişiklik özeti yok
Etiket: 2017 kaynak düzenleyici
k (düzenlemeler ve imla)
 
[[Yarı iletken]] üretiminde '''doping (katkılama)''', elektriksel, optik ve yapısal özelliklerini modüle etmek amacıyla içsel bir yarı iletkenin içine safsızlıkların kasıtlı olarak eklenmesidir. Dopingli (katkılı) ürün, dışsal bir yarı iletken olarak tanımlanır.
 
Az sayıda doping [[Atom|atomuatom]]u, bir yarı iletkenin elektriği iletme yeteneğini değiştirebilir. 100 milyon atom başına bir dopant atomu eklendiğinde, dopingin ''düşük'' veya ''hafif'' olduğu söylenir. On bin atom başına bir doping atomu gibi bir oran mevzu bahis ise, doping ''yüksek'' veya ''ağır'' olarak adlandırılır. Bu durum genellikle n-tipi doping için n''+'' veya p-tipi doping için p''+'' olarak gösterilir. (''Doping mekanizmasının daha ayrıntılı bir açıklaması için [[Yarıyarı iletken|yarı iletkenler]]ler hakkındaki makaleye bakın.'') Bir yarı [[Elektriksel iletken|iletkenden]] çok bir iletken gibi davranacak kadar yüksek seviyelerde dopinglenmiş bir yarı iletken, dejenere yarı iletken olarak adlandırılır. Bir yarı iletken, eşit miktarlarda p ve n ile dopinglenmiş ise, i-tipi yarı iletken olarak kabul edilebilir.
 
Fosforlar ve [[Sintilatör|sintilatörlersintilatör]]ler bağlamında, doping daha çok aktivasyon olarak bilinir; bu, yarı iletkenlerde dopant aktivasyonu ile karıştırılmamalıdır. Doping, bazı pigmentlerde rengi kontrol etmek için de kullanılır.
 
== Kaynakça ==
139.579

düzenleme