"Transistör" sayfasının sürümleri arasındaki fark

Düzenleme, resimler, düzenle ve yetersiz şablonları
(Kategori eklendi.)
(Düzenleme, resimler, düzenle ve yetersiz şablonları)
{{yetersiz}}
{{düzenle|Aralık 2007}}
[[Resim:Electronic component transistors.jpg|200px|thumb|right|Çeşitli biçimlerdeki transistörler]]
{{Devre elemanları}}
'''Geçirgeç''' veya '''transistör''', [[yarı iletken]] malzemeden yapılmış [[elektronik]] devre elemanıdır. Transistörler elektronik cihazların temel yapı taşlarındandır. Günlük hayatta kullanılan elektronik cihazlarda birkaç taneden birkaç milyara varan sayıda transistör bulunabilir. [[İntel]]'in [[2009]] yılında piyasaya sürmeyi planladığı 32 [[nm]] teknoloji ürünü bellek yongalarında 1,9 milyar adet transistör bulunacaktır. <ref>{{cite web | başlık= Introducing 32nm Logic Technology | yayımcı= İntel İnternet Sitesi | url= http://www.intel.com/technology/architecture-silicon/32nm/index.htm?iid=tech_arch_45nm+rhc_32nm | tarih =21.12.2007}}</ref>
'''Geçirgeç''' veya '''transistör''', [[yarı iletken]] malzemeden yapılmış [[elektronik]] devre elemanıdır. Her ne kadar [[diyod]]un yapısına benzese de çalışması ve fonksiyonları diyottan çok farklıdır.
 
 
== Tarihçe ==
[[Elektron Lambalar]]ı ilk defa [[1906]]'da Londra Üniversite Kolejinde [[Dr. Lee de Forest]] tarafından uygulama sahasına konulmuştur. [[1925]]'te [[Lilien Field]] ve [[1938]]'de [[Hilsch]] ve [[Pohl]] tarafından, lambaların yerine geçecek bir katı [[amplifikatör]] elemanı bulma konusunda başarısızlıkla sonuçlanan bazı denemeler yapılmıştır. Çalışmaların amacı, lambalarda olduğu gibi katılarda da [[elektrostatik]] alan etkisi ile [[elektron]] akışını sağlamaktı. Daha sonraları bu çalışmalar bugünkü transistörlerin temelini teşkil etmiştir.
 
[[1931]]-[[1940]] yılları katı maddeler elektroniği hakkında daha ziyade teorik çalışmalar devri olmuştur. Bu sahada isimleri en çok duyulanlar, [[L. Brillouin]], [[A. H. Wilson]], [[J. C. Slater]], [[F. Seitz]] ve [[W. Schottky]]'dir.
 
Yıl [[1948]], [[Walter H. Brattain]] ve [[John Bardeen]] [[kristal redresör]] yapmak için [[Bell]] laboratuarlarında çalışıyorlar. Esas olarak yapılan; çeşitli kristallere temas eden bir ‘[[catwhisker]]’ in tek yönde [[iletken]], diğer yönde büyük bir [[direnç]] göstermesi ile ilgili bir çalışmadır. Deneyler sırasında [[Germanyum]] kristalinin ters akıma daha çok direnç gösterdiği ve daha iyi bir doğrultma işlemi yaptığı gözlemlendi ve böylece germanyum [[redresör]]ler ortaya çıktı.
 
[[Brattain]] ve [[Bardeen]] germanyum redresör ile yaptıkları deneylerde, germanyum kristali üzerindeki serbest elektron yoğunluğunun, redresörün her iki yöndeki karakteristiğine olan tesirini incelediler ve bu sırada, [[catwhisker]]'e yakın bir başka kontak daha yaparak deneylerini sürdürdüler. Bu sırada ikinci [[whisker]] de akım şiddetlenmesinin farkına vardılar ve elektronik tarihinin bir dönüm noktasına tekabül eden transistör böylece keşfedilmiş oldu.
 
Adını '[[Transfer]] – [[Resistor]]' yani taşıyıcı direnç kelimesinden alan transistör'ün geliştirilmesine daha sonra [[William Shockley]] de katıldı ve bu üçlü [[1956]] yılı [[Nobel Fizik Ödülü|nobel fizik ödülü]]ne layık görüldüler.
 
İlk yapılan transistörler '[[Nokta temaslı transistör|Nokta Kontaklı]]' transistörlerdi. Nokta kontaklı transistörler, iki whisker'li bir kristal diyottan ibarettir. Kristale '[[Base]]', whiskerlerden birine '[[Emitter]]' diğerine de '[[Collector]]' adı verilir. Bu transistörlerde N tipi Germanyum kristali base olarak kullanılmıştır.
 
Whiskerler [[fosfor]]lu [[bronz]]dan yapılır, daha doğrusu yapılırdı, bu transistörler artık müzelerde veya eski amatörlerin [[nostalji]]k malzeme kutularında bulunurlar.
 
Her iki whisker birbirine çok yakındır ve uçları kıvrık bir yay gibidir, bu kıvrık yay gibi olması nedeni ile kristale birkaç [[gram]]lık bir basınç uygular ve bu sayede sabit dururlar. Yani, yalnız temas vardır.
 
Bu transistörlerin Ge kristalleri 0.5 mm kalınlığında ve 1 - 1.5 mm eninde parçalardır. Whisker arası mesafe ise milimetrenin yüzde 3'ü yüzde 5'i kadardır.
 
Bu ilk transistörler PNP tipinde idi, yani kristal N tipi Whiskerler P tipi idi.
 
Daha sonraları '[[Jonksiyon Transistör|Yüzey Temaslı]]' transistörler yapıldı. Bu transistörler PNP veya NPN olacak şekilde üç kristal parçası birbirine yapıştırılarak imal edildiler. Yüzey temaslı transistörlerin yapılması ile [[silisyum]] transistörler piyasaya çıktı, daha sonraları transistörler kocaman bir aile oluşturdular ve sayıları oldukça arttı.
 
== Yapı ==
 
Transistör iki eklemli üç bölgeli bir devre elemanı olup iki ana çeşittir.
*[[PNP]]
 
[[Resim:BJT NPN symbol.svg|thumb|100px|right|NPN iki kutuplu transistör gösterimi]]
[[Resim:BJT PNP symbol.svg|thumb|100px|right|PNP iki kutuplu transistör gösterimi]]
 
== İki Kutuplu (Bipolar) Jonksiyon Transistör ==
 
=== Bipolar Jonksiyon Transistör aşağıda belirtildiği gibi değişik şekillerde tanımlanır ===
 
# Transistörün kolay anlaşılması bakımından tanımı; Transistörün bir [[sandviç]]e benzetilmesidir, yarı iletken sandviçi.
emitter; base, collector arasında akım sağlar ve devrede yükselteç görevi üstlenir.
 
:#== Transistör [[sembol]]leriÇeşitleri ==
=== Transistörün başlıca çeşitleri şunlardır ===
 
*[[Jonksiyon Transistör|Yüzey birleşmeli (Jonksiyon) transistör]]
*[[Koaksiyal transistör]]
 
=== Transistörün kullanımKullanım alanlarıAlanları ===
Transistör yapısal bakımdan, [[yükselteç]] olarak çalışma özelliğine sahip bir devre elemanıdır. Daha yaygın kullanım amacı ise devrede anahtarlama yapmaktır. Elektroniğin her alanında kullanılmaktadır.
Dolayısı ile teknolojinin en değerli parçalarından biridir.
transistör anahtar olarak ta kullanılabilir
:# NPN ve PNP transistörlerin yapısal gösterilimi,
:# Transistör [[sembol]]leri
 
== Vakum Lambaları İle Karşılaştırma ==
=== Transistörün gelişimi ===
 
'''Üstünlükler'''
[[Elektron Lambalar]]ı ilk defa [[1906]]'da Londra Üniversite Kolejinde [[Dr. Lee de Forest]] tarafından uygulama sahasına konulmuştur. [[1925]]'te [[Lilien Field]] ve [[1938]]'de [[Hilsch]] ve [[Pohl]] tarafından, lambaların yerine geçecek bir katı [[amplifikatör]] elemanı bulma konusunda başarısızlıkla sonuçlanan bazı denemeler yapılmıştır. Çalışmaların amacı, lambalarda olduğu gibi katılarda da [[elektrostatik]] alan etkisi ile [[elektron]] akışını sağlamaktı. Daha sonraları bu çalışmalar bugünkü transistörlerin temelini teşkil etmiştir.
 
[[1931]]-[[1940]] yılları katı maddeler elektroniği hakkında daha ziyade teorik çalışmalar devri olmuştur. Bu sahada isimleri en çok duyulanlar, [[L. Brillouin]], [[A. H. Wilson]], [[J. C. Slater]], [[F. Seitz]] ve [[W. Schottky]]'dir.
 
Yıl [[1948]], [[Walter H. Brattain]] ve [[John Bardeen]] [[kristal redresör]] yapmak için [[Bell]] laboratuarlarında çalışıyorlar. Esas olarak yapılan; çeşitli kristallere temas eden bir ‘[[catwhisker]]’ in tek yönde [[iletken]], diğer yönde büyük bir [[direnç]] göstermesi ile ilgili bir çalışmadır. Deneyler sırasında [[Germanyum]] kristalinin ters akıma daha çok direnç gösterdiği ve daha iyi bir doğrultma işlemi yaptığı gözlemlendi ve böylece germanyum [[redresör]]ler ortaya çıktı.
 
[[Brattain]] ve [[Bardeen]] germanyum redresör ile yaptıkları deneylerde, germanyum kristali üzerindeki serbest elektron yoğunluğunun, redresörün her iki yöndeki karakteristiğine olan tesirini incelediler ve bu sırada, [[catwhisker]]'e yakın bir başka kontak daha yaparak deneylerini sürdürdüler. Bu sırada ikinci [[whisker]] de akım şiddetlenmesinin farkına vardılar ve elektronik tarihinin bir dönüm noktasına tekabül eden transistör böylece keşfedilmiş oldu.
 
Adını '[[Transfer]] – [[Resistor]]' yani taşıyıcı direnç kelimesinden alan transistör'ün geliştirilmesine daha sonra [[William Shockley]] de katıldı ve bu üçlü [[1956]] yılı [[Nobel Fizik Ödülü|nobel fizik ödülü]]ne layık görüldüler.
 
İlk yapılan transistörler '[[Nokta temaslı transistör|Nokta Kontaklı]]' transistörlerdi. Nokta kontaklı transistörler, iki whisker'li bir kristal diyottan ibarettir. Kristale '[[Base]]', whiskerlerden birine '[[Emitter]]' diğerine de '[[Collector]]' adı verilir. Bu transistörlerde N tipi Germanyum kristali base olarak kullanılmıştır.
 
Whiskerler [[fosfor]]lu [[bronz]]dan yapılır, daha doğrusu yapılırdı, bu transistörler artık müzelerde veya eski amatörlerin [[nostalji]]k malzeme kutularında bulunurlar.
 
Her iki whisker birbirine çok yakındır ve uçları kıvrık bir yay gibidir, bu kıvrık yay gibi olması nedeni ile kristale birkaç [[gram]]lık bir basınç uygular ve bu sayede sabit dururlar. Yani, yalnız temas vardır.
 
Bu transistörlerin Ge kristalleri 0.5 mm kalınlığında ve 1 - 1.5 mm eninde parçalardır. Whisker arası mesafe ise milimetrenin yüzde 3'ü yüzde 5'i kadardır.
 
Bu ilk transistörler PNP tipinde idi, yani kristal N tipi Whiskerler P tipi idi.
 
Daha sonraları '[[Jonksiyon Transistör|Yüzey Temaslı]]' transistörler yapıldı. Bu transistörler PNP veya NPN olacak şekilde üç kristal parçası birbirine yapıştırılarak imal edildiler. Yüzey temaslı transistörlerin yapılması ile [[silisyum]] transistörler piyasaya çıktı, daha sonraları transistörler kocaman bir aile oluşturdular ve sayıları oldukça arttı.
 
=== Transistör'ün daha önceleri kullanılan [[radyo]] lambalarına göre üstünlükleri===
 
*Transistörler çok küçüktür ve çok az enerji isterler.
*Lambalar gibi cam değildir kırılmaz.
 
'''Zayıflıklar'''
=== Transistör'ün radyo lambalarına göre zayıflıkları===
 
Elektron lambalarında elektron, boşlukta hareket ettikleri için, transistörlere göre gürültüleri düşüktür. Yine lambalar vakumlu oldukları için çıkış dirençleri daha yüksektir.
Ayrıca, lambaların radyasyona dayanıklılığı daha yüksektir.
[[FET]]'ler bu kalitede olan bir transistör ailesidir.
 
=== Çeşitli Transistörler ===
 
Transistörler esas olarak [[bipolar]] transistörler ve [[unipolar]] transistörler olarak iki kısma ayrılırlar. Bipolar transistörler de PNP ve NPN olarak iki tiptir.
 
== Kaynak ==
<div class="references-small" style="-moz-column-count:2; column-count:2;">
<references/>
</div>
 
[http://www.regulator-redresor.com/ Regülatör ve Redresörler]
 
4.801

değişiklik