Taramalı elektron mikroskobu: Revizyonlar arasındaki fark

[kontrol edilmiş revizyon][kontrol edilmemiş revizyon]
İçerik silindi İçerik eklendi
Değişiklik özeti yok
Kumik~trwiki (mesaj | katkılar)
Konuyla ilgili daha geniş bilgi vermek amacıyla değişiklik yapılmıştır. Temel olarak Wikipedia sayfasına dayanır.
1. satır:
{{Karıştırma|TaramalıGeçirimli elektron mikroskobu (TEM) ve taramalı tünelleme mikroskobu (STM)}}
[[Dosya:Ant_SEM.jpg |200px|thumb| Bir karınca kafasının taramalı elektron mikroskobuyla alınmış görüntüsü.]]
 
'''Taramalı elektron mikroskobu''' veya '''SEM''' (scanning electron microscope), odaklanmış bir [[elektron]] demeti ile numune yüzeyini tarayarak görüntü elde eden bir [[elektron mikroskobu]] türüdür. Elektronlar numunedeki atomlarla etkileşerek numune yüzeyindeki [[Topoğrafya|topografi]] ve kompozisyon hakkında bilgiler içeren farklı sinyaller üretir. Elektron demeti [[raster tarama düzeni]] ile yüzeyi tarar ve demetin konumu algılanan sinyalle eşleştirilerek görüntü oluşturulur. SEM ile 1 nanometreden daha yüksek çözünürlüğe ulaşılabilir. Standart SEM cihazları yüksek vakumda, kuru ve iletken yüzeyleri incelemek için uygundur. Ancak düşük vakumda, nemli koşullarda ([[çevresel taramalı elektron mikroskobu]]), çok düşük sıcaklıklardan yüksek sıcaklıklara değişen koşullarda çalışabilen özelleşmiş cihazlar da mevcuttur.
'''Taramalı Elektron Mikroskobu''' veya '''SEM''' (Scanning Electron Microscope), çok küçük bir alana odaklanan yüksek [[enerji]]li [[elektron]]larla yüzeyin taranması prensibiyle çalışır. Manfred von Ardenne öncülüğünde [[1930'lar|1930'lı]] yıllarda geliştirilmiştir. En sık kullanıldığı biçimiyle, yüzeyden yayılan ''ikincil'' (secondary) [[elektron]]larla yapılan ölçüm, özellikle yüzeyin engebeli (topografik) yapısıyla ilişkili bir görüntü oluşturur.
 
SEM'de görüntü oluşturmak için en çok elektron demeti tarafından uyarılan numune atomlarının yaydığı ikincil elektronlardan (SE) faydalanılır. Numunenin farklı bölgelerinden kopan ikincil elektronların sayısındaki değişim öncelikle demetin yüzeyle buluşma açısına, yani yüzeyin topografisine bağlıdır. İkincil elektronların yanında geri saçılan elektronlar (BSE), karakteristik X-ışınları, ışık (katot ışını) (CL), numune akımı ve aktarılan elektronlarla da numuneden çeşitli sinyaller elde edilerek amaca uygun topografi ve kompozisyon analizleri yapılır.
 
== Çalışma Prensibi ==