SRAM: Revizyonlar arasındaki fark
| [kontrol edilmiş revizyon] | [kontrol edilmiş revizyon] |
İçerik silindi İçerik eklendi
Değişiklik özeti yok |
|||
19. satır:
Random Access; son erişilen bellek yeri önemsenmeksizin, bellek içindeki yerlerin herhangi bir sırada yazılabilmesi veya okunabilmesi demektir.
Rastgele erişimli bellek içindeki her depo hücresi,
İki ek erişimsel transistör, okuma ve yazma işlemleri boyunca depo hücresinde erişimi kontrol etmeye yardımcı olur. Bu yüzden tek bir parça bellek depolamak için tipik olarak 6 tane MOSFET alır. Hücreye erişim, [BL] ve BL, iki line-bit‘e bağlanıp bağlanmaması gerekmediğini içe doğru kontrol eden M5 ve M6, iki erişim transistorünü kontrol eden (örnek WL) word-line tarafından sağlanır. Bunlar hem okuma hem de yazma işlermleri için bilgi transferinde kullanılırlar. İki line-bit’e katı bir biçimde sahip olması gerekli değilken hem işareti hem de ters sonucu, noise margins’i (gürültü tolerans payı) geliştirdiğinden, tipik olarak sağlanır.
| |||