CMOS: Revizyonlar arasındaki fark
| [kontrol edilmemiş revizyon] | [kontrol edilmiş revizyon] |
İçerik silindi İçerik eklendi
k "yarı iletken" ayrı yazılır. TDK Yazım Kılavuzu |
kDeğişiklik özeti yok |
||
1. satır:
{{kaynaksız}}
[[Dosya:Static CMOS Inverter.png|framed|right]]
'''CMOS''' ([[İngilizce]]: '''C'''omplementary '''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor; ''Bütünleyici Metal Oksit Yarı
N-tipi ve P-tipi olarak adlandırılan NMOS ve PMOS transistorların aynı tümdevre üzerinde gerçeklenmesine olanak tanır. Genel olarak günümüzde kullanılan [[sayısal]] (dijital) devrelerin neredeyse tamamı (örneğin mikroişlemciler) CMOS teknolojisi ile üretilir. Bu teknolojinin yaygın olarak kullanılmasının nedeni, bu teknolojinin birim [[silisyum]] alanda en fazla [[transistor]] gerçeklenmesini olanaklı kılması, gerçeklenen devre açık durumda fakat işlem yapmazken neredeyse güç tüketmemesi gibi önemli özelliklerdir. Böylece elektronik endüstrisinin temel taleplerinden olan düşük maliyet ve düşük güç tüketimi (uzun pil ömrü) sağlanmış olur. Günümüzde artık Dijital Fotoğraf Makinelerinde CMOS tercih edilmektedir. Az ısınması nedeni ile Dijital Video çekimine uygundur.
| |||