Entegre devre: Revizyonlar arasındaki fark

Madde içerisindeki uyumsuzluklar giderildi, kırmızı bağlantılar giderildi, madde konulara göre ayrıldı.
k (Superyetkin Tümdevre sayfasını Mikroçip sayfasına taşıdı: Geçmiş birleştirme)
(Madde içerisindeki uyumsuzluklar giderildi, kırmızı bağlantılar giderildi, madde konulara göre ayrıldı.)
[[Dosya:Diopsis.jpg|right|thumb|200px|Tümleşik devreTümdevre örneği.]]
{{düzenle|Ocak 2013}}
 
[[Dosya:Diopsis.jpg|right|thumb|200px|Tümleşik devre örneği.]]
{{Devre elemanları}}
 
'''Tümdevre''' (ya da '''yonga''', '''çip''', '''kırmık''', '''entegretümleşik devre''', '''tümleşikentegre devre'''), [[Yarıiletken|yarıiletkenyarı maddedeniletken]] oluşanmaddeler ile tasarlanmış ince bir ya da birkaç yüzey üzerine yerleştirilmiş, küçük bir [[elektronik devre]]dir. Küçük boyutu, hafifliği ve kullanım kolaylığı ile tümdevreler, günümüzün modern elektronik sektöründe çok önemli bir yer tutmaktadır. Bilgisayarlardan oyuncaklara kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir.
 
== Bulunuşu ==
Tümleşik devreler, yarı iletken aygıtların [[elektron Tübü|boşluk tüplerinin]] görevlerini yerine getirebileceklerinin deneysel olarak fark edilmesi ile önem kazandılar. İlk tümdevre, [[elektrik mühendisi]] [[Jack Kilby]] tarafından [[1959]]'da [[Teksas]], [[Amerika Birleşik Devletleri|ABD]]'de icat edildi. ABD ve [[İngiltere]]'de aynı yıl patent kayıtlarına geçti. [[Elektrik mühendisi]] olan [[Jack Kilby]], lehimlenmiş küçük tel parçalarını [[mikroskop]] yardımıyla iletken bir [[madde]]ye bağlayarak dünyanın ilk tamamlanmış devresini yapmış oldu. Küçük boyutu, hafifliği ve kullanım kolaylığı ile mikroçip, bugünün modern elektronik sektörünün temelini oluşturuyor. Bilgisayarlardan oyuncaklara kadar geniş bir kullanım alanına sahip.
 
Tümleşik devreler, [[yarıiletken aygıt]]ların [[Elektron tübü|boşluk tüplerinin]] görevlerini yerine getirebileceklerinin deneysel olarak fark edilmesi ile önem kazandılar. 20. yüzyılın ortalarında çok büyük sayıda [[geçirgeç|geçirgecin]]transistörün küçük boylu yongalaratümdevrelere yerleştirilebilmesi, elektronik bileşenlerin üretilmesindeüretiminde yeni bir döneme girilmesine olanakgirilmesini sağladı. Tümleşik devrelerin toplu üretilebilmeleri ve güvenilirlikleri ayrık geçirgeçtransistör kullanımının yerini almalarını hızlandırdı. Günümüzde [[nano teknoloji]]yle saç telinden ince mikroçipler üretilebilmektedir.
 
== Tasarım ==
== Tümdevreler ve ayrık devreler ==
Günümüzde tümleşik devre satışları Dünya çapında 300 milyar ABD dolarına yaklaşmıştır. Tümleşik devre üretiminde [[silikon]] temelli [[CMOS]] (''Complementary Metal Oxide Semiconductor'') teknolojisi hakim durumdadır. CMOS teknolojisi, transistör başına düşük maliyetler sağladığı ve büyük miktarlarda yongatümdevre üretimine olanak verdiği için tercih edilmektedir. Bunun dışında, özellikle daha yüksek hızda ya da düşük gürültü ile çalışması istenen devrelerde SiGe ([[Silisyum]]-[[Germanyum]]) [[BJT]] ya da GaAs ([[Galyum]]-[[Arsenik]]) temelli teknolojileriteknolojiler de kullanılabilmektedir. Günümüzde tümleşik devre satışları dünya çapında 300 milyar ABD dolarına yaklaşmıştır.
Tümleşik devrelerin ayrık devrelere göre başlıca iki olumlu yanı sayılabilir: düşük üretim maliyeti ve başarım. Üretim maliyetinin düşüklüğü [[geçirgeç]]leri birer birer değil de tek defada [[ışıklı taş baskı]] (fotolitografi) aracılığı ile basılmaları sayesinde gerçekleşmekte. Başarımın yüksekliği ise bileşenlerin yakınlığı ve dolayısıyla daha az güç kullanımına bağlıdır. [[2006]]'ya varıldığında ortalama yonga alanları 1 ile 350 [[mm]]<sup>2</sup> arasında olup milimetre başına 1 milyon [[geçirgeç]] kullanılabilmektedir.
 
Tümleşik devrelerin ayrık devrelere göre başlıca iki olumlu yanı sayılabilir: düşükDüşük üretim maliyeti ve başarım. Üretim maliyetinin düşüklüğü, [[geçirgeçtransistör]]lerilerin birer birer değil de tek defada, [[ışıklı taş baskı]] (fotolitografi) aracılığı ile basılmaları sayesinde gerçekleşmektegerçekleşmektedir. Başarımın yüksekliği ise bileşenlerin yakınlığı ve dolayısıyla daha az güç kullanımına bağlıdır. [[2006]]'ya yılına varıldığında, ortalama yonga alanları 1 ile 350 [[mm]]<sup>2</sup> arasında olup milimetremilimetrekare başına 1 milyon transistör kullanılabilmektedir. Günümüzde [[geçirgeçnanoteknoloji]]yle kullanılabilmektedirsaç telinden ince tümdevreler üretilebilmektedir.
Günümüzde tümleşik devre satışları Dünya çapında 300 milyar ABD dolarına yaklaşmıştır. Tümleşik devre üretiminde silikon temelli CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) teknolojisi hakim durumdadır. CMOS teknolojisi, transistör başına düşük maliyetler sağladığı ve büyük miktarlarda yonga üretimine olanak verdiği için tercih edilmektedir. Bunun dışında, özellikle daha yüksek hızda ya da düşük gürültü ile çalışması istenen devrelerde SiGe BJT ya da GaAs temelli teknolojileri de kullanılabilmektedir.
 
== Türkiye'de Tümdevre Tasarımı ==
== Araştırmalar ==
Türkiye dünyada mikroçiptümdevre üretentasarlanan 15 ülke arasındadır.{{fact}} Türk üniversitelerinde tümleşik devre tasarımı konusunda araştırmalar yürütülmektedir. Bunun dışında, İstanbul'da ST Microelectronics, Maxim ve Spectra Linear firmalarının tasarım gruplarındafirmaları, tümleşik devre tasarımı yapılmaktadırtasarlamaktadır. Bunun dışında,Ayrıca [[Vestel]] firması [[Bahçeşehir Üniversitesi]]'yle işbirliği ileyaparak, sayısal tümleşik devrelerin tasarımına yönelik yüksek lisans çalışmalarını desteklemektedir.
 
{{bilim-taslak}}
2.305

düzenleme