MOSFET: Revizyonlar arasındaki fark
| [kontrol edilmemiş revizyon] | [kontrol edilmemiş revizyon] |
İçerik silindi İçerik eklendi
Khutuck Bot (mesaj | katkılar) k Bot: zh:金屬氧化物半導體場效電晶體 kaliteli maddedir |
Avanakapti (mesaj | katkılar) Değişiklik özeti yok |
||
2. satır:
{{Devre elemanları}}
'''MOSFET''' ismi, "'''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor '''F'''ield '''E'''ffect '''T'''ransistor" söz dizisinin başharflerinden meydana gelir. Türkçeye '''Metal Oksit Yarıiletkenli Alan Etkili Transistör''' ya da '''Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör''' olarak çevrilmiştir. MOSFET, [[sayısal]] ve [[Analog veri|analog]] devrelerde en sık rastlanan alan etkili [[transistör]] türüdür. ''Enhancement MOSFET'', ''depletion MOSFET'' gibi çeşitleri vardır.
MOSFET, [[JFET]]'
Kapı geriliminin sınırlı olmaması ayrıca MOSFET'de iki durumda çalışma olanağı sağlar. Bunlar ''"Arttırılmış - Enhancement"'' ve ''"Azaltıcı - Depletion"'' çalışma şekilleridir. Enhancement MOSFET' ler uygun şekilde kutuplanmadığı sürece üzerlerinden akım akmaz. Çünkü kapı geriliminin sıfır olması ile kaynak ve [[savak]] arasında iki tane arka arkaya bağlanmış PN diyotu vardır. Savak-kaynak gerilimi ne değerde olursa olsun kaynak akımı akmaz. Depletion tipi MOSFET' ler depletion tiplerinin tam tersidir. Bu tip MOSFET' ler normalde "ON" tipi MOSFET' lerdir. Gate uygun şekilde bayslanmadığı sürece akım geçirirler.▼
▲MOSFET, JFET' e pek çok yönden benzerlik gösterir. JFET' de Gate Source ters polarmalanmış bir PN oluşturmaktadır. MOSFET' de böyle değildir. MOSFET' de gate öyle oluşturulmuşturki drain ile source arasındaki bölge üzerine silikon dioksit ve onun üzerine de gate elektrodu (metal plaka) konularak yapılmıştır. Böylece gate metal elektrodu ile drain ve source arasına bir yalıtkan konulmuş olur. Buradaki yalıkan silikon dioksit (SiO<sub>2</sub>) dir. Silikon dioksit çok iyi birer yalıtkandır ve ayrıca mükemmel mekanik özelliklere sahiptir. Hatırlarsanız, oksitlenmiş kontaklardan elektrik akımı geçmez ve biz de oksitlenmiş yerleri temizleriz. Metal oksit ve yarı iletken ile bir Gate oluşturur ve MOSFET adının oluşmasını sağlar. Bu nedenle kapı gerilimine JFET' de olduğu gibi bir sınırlandırma konulmamıştır. Tabi bu teoriktir. Kapı yalıtkanı o kadar incedir ki eğer bir koruma yoksa vücudumuzdaki gerilim bile bu yalıtkanı delmeye yeter. Ayrıca bu yalıtkan yüzünden gate akımı neredeyse hiç yoktur ve giriş empedansı çok yüksektir. Tipik olarak gate akımı 10<sup>-14</sup> A (0,01piko amper) ve 10<sup>14</sup> ohm (10.000 Giga ohm).
▲Enhancement MOSFET' ler uygun şekilde kutuplanmadığı sürece üzerlerinden akım akmaz. Çünkü kapı geriliminin sıfır olması ile kaynak ve savak arasında iki tane arka arkaya bağlanmış PN diyotu vardır. Savak-kaynak gerilimi ne değerde olursa olsun kaynak akımı akmaz.
Enhancement MOSFET'in kabaca üç çalışma bölgesi vardır:
Satır 25 ⟶ 13:
# Doğrusal: Kapı-kaynak gerilimi, eşik geriliminden yüksek, <math> V_{GS} > V_{Th} </math>, ve savak-kaynak gerilimi kapı-kaynak gerilimi ile eşik gerilimi arasındaki farktan daha düşük <math> V_{DS} < V_{GS} - V_{Th} </math> olduğunda;
# Doyum: Kapı-kaynak gerilimi, eşik geriliminden yüksek, <math> V_{GS} > V_{Th} </math>, ve savak-kaynak gerilimi kapı-kaynak gerilimi ile eşik gerilimi arasındaki farktan daha yüksek olduğunda, <math> V_{DS} > V_{GS} - V_{Th} </math>, savak akımı (I<sub>D</sub>) ile kapı gerilimi arasındaki ilişki kabaca aşağıdaki formülle verilir. Bu formüle kare kanunu da denir. SPICE devre benzeşim programında kullanılan 1. seviye model de bu formüle dayanır.
<math> I_D = KP \frac{W}{L} (V_{GS}-V_{Th})^2</math>
MOSFET, girişinde hiç güç harcamadığı için ve drain - source arası tam olarak "ON" yapıldığında üzerinde çok az güç harcar. Bu nedenle içinde çok sayıda transistör olması istenen [[entegre
▲MOSFET, girişinde hiç güç harcamadığı için ve drain - source arası tam olarak "ON" yapıldığında üzerinde çok az güç harcar. Bu nedenle içinde çok sayıda transistör olması istenen entegre devrelerin vazgeçilmez parçalarıdır. Yazının baş taraflarında da söz edildiği gibi MOSFET' in gate sini oluşturan dioksit çok ince olduğundan vücut elektriğinden bile kolayca bozulabilir. Bu durumu önlemek için gate ile MOSFET' i oluşturan alt taş (substrate) arasına bir zener diyot fabrikasyon olarak yerleştirilir. Bu zenerin iletime geçme voltajı düşük olacağına göre dışardan gelebilecek gerilimler zener üzerinden kısa devre olur. Fabrikasyon tedbirler alınmasına rağmen bu tür transistörleri taşırken dikkatli olmalı, eğer bacakları bir tel ya da benzeri bir şeyle kısa devre edilmişse bunu, transistörü yerine taktıktan sonra çıkarmalıdır.
== Kaynak ==
| |||